SLC單層芯片電容具有體積小、容量大、應用頻率高等特點，被廣泛應用于電子、雷達、導航和衛星通訊等方面。傳統的單層芯片電容中間為介質層，上下各一層電極層，下電極采用金錫合金或鉛錫合金等焊料焊接于電路中，上電極采用金絲鍵合技術與其他電路元件相連。

目前，單層芯片電容金錫焊料的制備工藝，要么材料利用率低，大大增加了生產成本；要么工藝難度系數高，對電鍍槽液成份和溫度的控制要求很高，并且存在電鍍液污染等問題，很難滿足環保要求。為了解決上述現有技術中存在的問題，廣東愛晟電子科技有限公司介紹一款帶有金錫焊料的單層芯片電容，其包括金錫焊料層、下電極層、介質層、上電極層。該芯片電容可提高封裝效率，降低封裝成本；工藝簡單，速度可控，生產成本低；全程無污染，而且所制成的金錫焊料在高溫焊接時性能優良，保證了產品的穩定性，適用于工業化生產。

帶有金錫焊料的單層芯片電容的具體制備步驟如下：

一、制備陶瓷基片并清洗烘干；

二、采用蒸鍍或濺射的方式在陶瓷基片上下表面形成電極層；

三、將形成上下電極的陶瓷基片放入真空濺射機內，采用直流濺射的方式濺射金錫焊料層，基片采用自轉和公轉方式；

四、濺射金錫焊料層，靶材采用金與錫的質量比為80：20的金錫合金，腔體加熱溫度為100~500℃，真空度為10-6-10-7mTorr，功率為500W~4000W，時間為50s~1000s，采用X光機或臺階儀監測濺射膜厚，同時采用在線監測系統實時監測濺射膜厚；

五、根據不同陶瓷基片性能的要求，部分基片只需在上電極或下電極表面單面濺射金錫焊料層，部分基片需正反兩面濺射；

六、金錫焊料層濺射完畢后關掉加熱裝置，充入氣體，取出半成品；

七、將半成品進行常規的光刻、刻蝕、電鍍、清洗等工藝處理；

八、切割、測試、分選；

九、產品包裝。





參考數據：

CN110400696A《一種帶有金錫焊料的單層電容器的制造工藝》