常規的SLC單層芯片電容包括電容陶瓷基片、上表面電極和下表面電極，上表面電極和下表面電極分別置于電容陶瓷基片的兩表面上，上表面電極和下表面電極都采用同一種金屬電極制作，例如都采用銀漿或都采用金漿制作。由于SLC單層芯片電容的電容陶瓷基片、上表面電極和下表面電極都是經過800℃以上溫度燒結而成的，因此芯片電容實際使用時的耐溫性能，通常是由其與應用的電路模塊之間的焊接材料的耐溫性能決定的。

常規的芯片電容邦定工藝，是用低溫銀膠將芯片電容的下表面電極貼于電路板上，并用打鋁線、銅線或者金線方式將芯片電容的上表面電極與電路板上的焊盤連接起來。由于低溫銀膠的固化溫度在100℃左右，固化后的銀膠耐溫溫度不超過150℃，所以現有的芯片電容的耐溫溫度也不超過150℃，不能適應溫度較高的工作環境。而錫膏回流焊工藝常用于焊接SMT貼片線路板，具有準確性高、高效、穩定可靠的優點。且與低溫銀膠相比，錫膏回流焊工藝焊錫的耐溫溫度可達260℃，因此錫膏回流焊應用在芯片電容邦定工藝中，可以明顯提升芯片電容的耐熱性能。

然而，常規的單層芯片電容在采用錫膏回流焊的邦定工藝及實際使用過程中，存在以下的問題：

銀表面電極適合與鋁線、銅線或金線進行邦定焊接，且焊接效果良好，但銀表面電極采用錫膏回流焊技術焊接于電路板上時，存在銀遷移現象，這會造成芯片的電氣性能突變以及可靠性下降。為了解決上述技術問題，愛晟電子介紹一款復合電極SLC單層芯片電容，其適合回流焊和打線鍵合，其具有邦定效果好、耐高溫、可靠性高、穩定性高的優點。這款芯片電容的上表面電極為銀層，下表面電極由鈦鎢層、銅層和金層從內向外依次在電容陶瓷基片上層疊而成。

復合電極SLC單層芯片電容，其上表面電極用于打線鍵合，下表面電極用于邦定在電路板上。上表面電極的銀層（Ag）是作為與電容陶瓷基片結合的基礎層，能夠與電容陶瓷基片形成有力的結合，且上表面電極的銀層能夠很好地與鋁線、銅線或金線進行邦定焊接；下表面電極的鈦鎢層（TiW）與電容陶瓷基片結合，并作為過渡層，主要起過渡作用，使銅層與電容陶瓷基片更好地結合，同時具有阻擋作用；下表面電極的銅層（Cu）作為阻擋層，用于阻擋外界對過渡層的破壞，并具有焊接作用；下表面電極的金層（Au）既是焊接層，也是保護層，其穩定性高，可防止氧化、抗腐蝕、防破壞，防止銀遷移，并有效地阻擋了錫膏回流焊接時焊錫滲透到銀層中形成錫銀合金和避免銀遷移現象發生，從而防止焊接錫膏破壞銀層。





參考數據：

CN109659134A《一種高可靠雙面異質復合電極芯片電容》