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          高電容值單層芯片電容的制備方法
          發布者 : admin 發布時間 : 2022/08/30 09:08:11


          常規的單層芯片電容其結構為陶瓷介質層的上、下表面分別印刷金屬電極,形成普通平行板電容的結構,從而獲得相應電容量。該結構由于受到電容尺寸以及陶瓷材料的介電特性(包括介電常數、溫度特性等)的限制,當其外形尺寸和采用的陶瓷材料確定時,其電容量也就固定了。因此,很多應用場景受限于裝配空間,芯片電容的外形尺寸已固定,如采用常規單層芯片電容,就容易出現實際電容量小于應用所要求的電容量。

          為了解決上述問題,愛晟電子為大家介紹一款既能滿足外形尺寸要求,又能有效增大電容容量的單層芯片電容,其電容量遠高于具有相同陶瓷材料及外形尺寸的常規單層芯片電容。該芯片電容具有內部互連結構,包括陶瓷介質層、內電極以及外電極。其中,陶瓷介質層內含有兩個相對設立的內電極,上、下表面設有外電極;外電極通過設在陶瓷介質層上的互連孔與內電極電氣互連。其制備方法具體如下:

          一、陶瓷材料生坯在流延后經過疊片、預壓,分別制得上層陶瓷基片、下層陶瓷基片和中部陶瓷基片;

          二、上層陶瓷基片和下層陶瓷基片表面覆蓋藍膜,分別對其進行打孔處理,得到貫通的互連孔;中部陶瓷基片進行打孔處理,得到定位孔,然后對上層陶瓷基片和下層陶瓷基片的互連孔進行金屬化填孔,并去除藍膜;

          三、分別在上層陶瓷基片和下層陶瓷基片的一面印刷內電極;

          四、將下層陶瓷基片放置在下層壓板上,按順序在下層陶瓷基片上疊放中部陶瓷基片、上層陶瓷基片、上層壓板,疊放時印刷有內電極的一面朝內,然后進行層壓處理,層壓后對制品進行燒結得到陶瓷介質層;

          五、采用濺射或涂覆工藝在陶瓷介質層上、下表面分別印刷金屬電極,得到具有內部互連結構的單層芯片電容。

          這款SLC單層芯片電容增加了內電極,因間距小從而可得到大電容量的芯片電容。通過上、下陶瓷介質層中的互連孔實現內外電極的電氣連接,從而保證了電容的外形尺寸。相比如常規單層芯片電容,該芯片電容的設計結構簡單,可靠性高,產品性能優越。





          參考數據:

          CN103515093A《一種具有內部互連結構的片式電容及其制備方法》

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