單層芯片電容被廣泛應用于微波通訊、微波功率放大器、微波集成電路等，起到隔直通交、RF旁路、濾波、調諧等作用?，F有的單層芯片電容的制備工藝為：陶瓷粉料配料→球磨→等靜壓成型→燒結陶瓷錠→切片→絲網印刷法印刷銀漿→烘干→燒銀→劃切。然而，使用銀電極和采用絲網印刷法存在以下幾個問題：

一、銀漿在絲網印刷和烘干過程中容易受到污染，且得到的銀電極容易氧化、發黃發黑，造成產品的穩定性和可靠性較差；

二、前期制備銀漿和后期烘干銀漿、燒結銀電極的工序較為繁瑣；

三、印刷制得的銀電極層厚度較大且在陶瓷基片的表面上覆蓋不均勻，在劃切過程中容易起皮和產生毛刺，銀漿材料損耗較多；

四、銀層在高溫燒結時會重新結晶，晶型改變從而性能發生改變，造成產品電氣性能下降；

五、在高溫燒銀過程中排放的氣體對環境造成污染。

為解決上述問題，廣東愛晟電子科技有限公司介紹一款高可靠Ir-Cu-Au復合電極單層芯片電容，其具有穩定性好、可靠性高、不易老化、耐冷熱沖擊等優點。具體制備方法如下：

1）制備陶瓷基材

按常規單層芯片電容陶瓷配方配得陶瓷粉末，再對陶瓷粉末進行球磨、等靜壓成型、燒結、切片，得到片狀的陶瓷基材。

2）一次清洗

使用清洗液處理陶瓷基材，再使用超聲波機清洗，清洗時間為5±1分鐘，然后烘干，烘干溫度為100±5℃，烘干時間為30±5分鐘。

3）二次清洗

將一次清洗得到的陶瓷基材放到等離子清洗機中進行二次清洗，清洗時間為5±1分鐘，烘干溫度為100±5℃，烘干時間為30±5分鐘，同時活化表面。

4）濺射銥層

先將真空濺射鍍膜機抽真空到工藝范圍，再充入氬氣作為工作氣體，以銥作為靶材，在電場作用下，Ar+加速轟擊靶材，將靶材原子濺射到陶瓷基材上，在陶瓷基材的兩表面上分別濺射一層銥層，濺射厚度為0.01~2微米。

5）濺射銅層

先將真空濺射鍍膜機抽真空到工藝范圍，再充入氬氣作為工作氣體，以銅作為靶材，在電場作用下，Ar+加速轟擊靶材，將靶材原子濺射到陶瓷基材上，在陶瓷基材兩表面的銥層表面上分別濺射一層銅層，濺射厚度為0.01~2微米。

6）濺射金層

先將真空濺射鍍膜機抽真空到工藝范圍，再充入氬氣作為工作氣體，以金作為靶材，在電場作用下，Ar+加速轟擊靶材，將靶材原子濺射到陶瓷基材上，在陶瓷基材兩表面的銅層表面上分別濺射一層金層，濺射厚度為0.01~1微米。

7）對陶瓷基材進行劃切，得到單層芯片電容。





參考數據：

CN111180203A《一種高精度高可靠Ir-Cu-Au復合電極芯片電容》