單層芯片電容具有體積小、容量大、結構堅固、電氣性能穩定、可靠性高等特點，被廣泛應用于電子、雷達、導航、衛星通訊等。而單層芯片電容的晶界層陶瓷材料是一類利用特殊的顯微結構即晶粒半導化、晶界絕緣化而形成的高性能陶瓷材料。由于晶界層陶瓷材料具有高介電常數及良好溫度特性而被應用于單層芯片電容中，但是單層芯片電容尺寸比較小，切割精度的要求十分苛刻，特別是晶界層材料晶界間的粘附性較弱，傳統單層芯片電容的切割工藝會使晶格從陶瓷表面脫落，易產生崩瓷現象，所以一般會使用非常昂貴精密的進口切割設備及進口刀具，生產成本較高。

為了解決晶界層陶瓷切割過程中會出現崩瓷的問題，廣東愛晟電子科技有限公司推薦一種單層芯片電容的切割方法，可極大提高產品合格率及切割質量。具體工藝步驟如下：

一、將帶有電極圖形的單層芯片電容上表面貼加保護膜或涂保護漆，厚度為0.1μm，放入真空烘箱內烘干，時間為30mins，溫度為150℃；

二、使用自動貼膜機將單層芯片電容貼于切割專用膜上，切割專用膜的粘度為5N/10mm，厚度為0.1mm；

三、使用自動切割機，放入待切割的單層芯片電容，切割步數為3步切割：

第1步切割高度設為0.05mm，切割速度為1mm/s，主軸轉速為20000rpm；

第2步切割高度設為0.1mm，切割速度為2mm/s，主軸轉速為30000rpm；

第3步切割高度為0.23mm，切割速度為2mm/s，主軸轉速為35000rpm；


四、切割完畢的單層芯片電容放入自動清洗機，采用二流體清洗，清洗去除芯片電容的保護膜或保護漆及切割的殘留粉末等雜質，然后用氮氣槍吹干；

五、將單層芯片電容移至自動解膜機，解除切割膜的粘性，進行分選測試。

與現有技術相比，該制備方法有以下優點:

1、通過對切割工藝的改進，可整齊地切斷晶界層陶瓷材料的晶格，不產生崩瓷現象，可以切割出邊緣整齊、表面完好的單層芯片電容；

2、極大地提高產品合格率及切割質量，同時克服使用進口設備和刀具帶來的成本問題，降低生產成本，適用于工業化生產。





參考數據：

CN110228140A《一種單層片式晶界層陶瓷電容器的切割方法》